ZG-450D多晶硅鑄錠爐

技術(shù)參數(shù)：

1.額定功率：200KW  

2.常用溫度：1500℃，高溫度：1600℃

3.冷態(tài)極限真空度：＜1Pa 

4.坩堝尺寸：870×870×420（L×W×H）mm

5、大鑄錠重量:450Kg

6.移動(dòng)隔熱屏大位移量：380（mm）

7.移動(dòng)隔熱屏提升速度：5～100mm/h(可調(diào))

詳細(xì)描述：

設(shè)備用途：本設(shè)備采用電阻加熱方式，底部進(jìn)出料結(jié)構(gòu)。一次裝入多達(dá)450Kg/500kg（視坩堝尺寸而定）多晶硅原料，用于多晶硅料的鑄錠。

ZG-450D多晶硅鑄錠爐設(shè)備特點(diǎn)：

1、爐底設(shè)有防漏硅裝置及防爆裝置；

2、溫度梯度好，拉出硅棒效果好，雜質(zhì)少；

3、爐底升降采用機(jī)械傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，定向結(jié)晶通過(guò)爐內(nèi)升降機(jī)構(gòu)，伺服機(jī)構(gòu)保溫罩升降平穩(wěn)，操作方便；

4、一種帶可升降式保溫罩的多晶硅鑄錠爐；一種帶水冷式雙電極和軟電纜的多晶硅爐；

ZG-90多晶硅鑄錠提純爐

90kg多晶硅鑄錠提純爐ZG-90

設(shè)備特點(diǎn)：

本設(shè)備為立式結(jié)構(gòu)，具有高真空、充氣及高溫熔化定向凝固等功能，是多晶硅原料熔化及成錠的優(yōu)選設(shè)備，在添加等到離子加熱源后可滿(mǎn)足部分提純要求。設(shè)備具有自動(dòng)控溫、快速升溫冷卻、快速升降取錠、超壓保護(hù)等功能，同時(shí)設(shè)有操作平臺(tái)方便操作及維護(hù)。

技術(shù)參數(shù)：

ZT-40-16D多晶硅鑄錠爐

實(shí)驗(yàn)用8kg多晶硅鑄錠爐ZT-40-16D

研發(fā)背景：

應(yīng)某大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室要求，本公司新研發(fā)了一臺(tái)小型實(shí)驗(yàn)室專(zhuān)用多晶硅鑄錠爐，此設(shè)備具有如下特點(diǎn)：

1.具有當(dāng)今市場(chǎng)主流鑄錠爐的一切功能，包括實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)運(yùn)行。

2.具有生產(chǎn)周期短，能耗低，實(shí)驗(yàn)成本節(jié)約的特點(diǎn)。

3.增加了部分新功能，除鑄錠以外，還實(shí)現(xiàn)部分提純功能。

技術(shù)參數(shù)：

1.功率：40KW

2.坩堝容量：標(biāo)準(zhǔn)10英寸

3.高溫度：1550度

4.極限真空度：10-1Pa

5.保溫罩上移距離：200mm

6.爐底大位移：800mm

7.進(jìn)出料方式：爐底進(jìn)出

8.加熱元件：石墨管加熱

9.保護(hù)功能：除了超壓自動(dòng)泄壓、漏硅聲光報(bào)警、更有*的漏硅保護(hù)措施，確保操作安全。

10.常用溫度：1550℃

11.高溫度：1600℃

12．控制方式：可控硅調(diào)功+大電流變壓器

13．控溫精度：±3℃

14．石英坩堝尺寸：198×198×200mm(L×W×H)

15．鑄錠重量：2-8KG

16．保溫桶大位移：200mm

17．空爐冷態(tài)極限真空度：≤6.67×10-1Pa

18．保溫層移動(dòng)速度：0.5-25mm /小時(shí)(可調(diào))

19. 空爐冷態(tài)壓升率：≤2 Pa/h